特許
J-GLOBAL ID：200903073623788264
浅簿トレンチ絶縁構造の製造方法及び基板プレ-ナ化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150511
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049220
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 プレーナ状態レベルを増大させる。【解決手段】 浅簿トレンチ絶縁構造の製造方法は、基板を供給し、次いで順次、基板上にパッド酸化物レイヤ及びシリコン窒化物レイヤを形成する各ステップを有している。次いで、シリコン窒化物レイヤ、パッド酸化物レイヤ及び基板は浅簿トレンチを形成するためにパターニングされる。この後、トレンチを充填する酸化物が基板上に堆積され、トレンチを完全に充填する。この後、AlliedSignal社製のアキュフロ(商標)T-13ELによりなる特定材料レイヤがトレンチを充填する酸化物レイヤ上に堆積される。次いで、エッチング停止レイヤとしてシリコン窒化物レイヤを使用しながら、特定材料のレイヤ、及びトレンチを充填する酸化物レイヤがエッチバックされる。最後に、シリコン窒化物レイヤ及びパッド酸化物レイヤが除去され、浅簿トレンチ絶縁構造の製造が終了する。
請求項（抜粋）：
基板を供給し、前記基板上にパッド酸化物レイヤ及びマスクレイヤを形成し、前記マスクレイヤ、パッド酸化物レイヤ及び基板をパターンニングしてトレンチを形成し、前記基板上に前記トレンチをも充填する絶縁レイヤを形成し、カーボン・ベースのポリマー及び有機溶媒によりなるSOPを用いて前記絶縁レイヤ上に特定材料レイヤを堆積し、前記特定材料レイヤ及び絶縁レイヤをエッチバックして前記マスクレイヤを露出させ、前記マスクレイヤを除去し、そして前記パッド酸化物レイヤを除去する各ステップを有することを特徴とする浅簿トレンチ絶縁構造の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 29/91 L
