特許

J-GLOBAL ID：200903073650847183

発光ダイオード

発明者： 高野 隆好 ,  安田 正治 ,  近藤 行廣 ,  高倉 信之 ,  池田 順治 ,  川西 英雄
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-356768
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165405
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】c軸配向した基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、発光層およびp型窒化物半導体層を積層して成る発光ダイオードにおいて、光取出し効率を向上する。【解決手段】AlGaNまたはAlInGaNなどから成る半導体層の内、発光層7のAlの含有量を調整して、価電子帯のエネルギーバンド構造を調整し、主波長ピークが290nm以下の紫外領域とすると、光の伝播モードとして、TEモードとTMモードとの内、TMモードの発光が含まれ、240nmでTMモードの発光が支配的になる。これを利用して、素子端面での反射率が低く、光を素子外部に取出し易いそのTMモードで素子端面から放射された光を使用する。したがって、基板2の表面やp型窒化物半導体層9の表面から取出しを行う場合に比べて、光取出し効率を向上することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

c軸配向した基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、発光層およびp型窒化物半導体層を積層して成る発光ダイオードにおいて、 前記発光層における主波長ピークが290nm以下の紫外領域であり、該発光層の端面から放射された光を使用することを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-283687   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-052772   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-077942   出願人：豊田合成株式会社