特許
J-GLOBAL ID：200903073686193023
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
苗村 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147861
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338535
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハが厚み100μm以下に薄層化され、且つダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、半導体ウェハの反りを矯正し、ウェハの搬送不良、破損などを防止し得る半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを提供する。【解決手段】 基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、下記数式(1)|E×D×L|<15 ・・・(1){数式(1)において、Eは23°Cにおける貯蔵弾性率(単位:GPa)、Dは厚み(単位:μm)、Lは180°Cにおいて2分間加熱したときのMD方向の収縮率(単位:%)}で表される関係を満たし、且つ厚みが20〜300μmである層を少なくとも1層含む半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
請求項（抜粋）：
基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、下記数式(1)|E×D×L|<15 ・・・(1){数式(1)において、Eは23°Cにおける貯蔵弾性率(単位:GPa)、Dは厚み(単位:μm)、Lは180°Cにおいて2分間加熱したときの機械方向の収縮率(単位:%)}で表される関係を満たし、且つ、厚みが20〜300μmである層を少なくとも1層含むことを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
IPC (5件)：
H01L 21/68
, C09J 7/02
, C09J133/00
, C09J201/00
, H01L 21/301
H01L 21/68 N
, C09J 7/02 Z
, C09J133/00
, C09J201/00
, H01L 21/78 M
4J004AA10
, 4J004AA11
, 4J004AB01
, 4J004CA06
, 4J004CC02
, 4J004CC03
, 4J004FA04
, 4J004FA05
, 4J040DF041
, 4J040EK031
, 4J040GA05
, 4J040GA07
, 4J040GA11
, 4J040GA22
, 4J040JA03
, 4J040JA09
, 4J040JB09
, 4J040NA20
, 5F031CA02
, 5F031DA15
, 5F031HA78
, 5F031MA35
, 5F031MA37
