特許

J-GLOBAL ID：200903073698862737

半導体装置の作製方法

発明者： 田村 友子 ,  荻田 香 ,  大力 浩二 ,  丸山 純矢
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151079
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013128
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】基板上に設けられた薄膜トランジスタ等を有する素子形成層を当該基板から剥離することにより半導体装置を作製する方法であって、低コストで信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に金属膜を形成し、金属膜に一酸化二窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、大気に曝されることなく連続的に金属酸化膜上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に素子形成層を形成し、基板から素子形成層を剥離し半導体装置を作製する。金属酸化膜と第1の絶縁膜とを大気に曝されることなく連続的に成膜できることによって、金属酸化膜と第1の絶縁膜との界面へのごみなどの汚染物の混入を防ぐことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に金属膜を形成し、 前記金属膜に一酸化二窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、 前記金属酸化膜上に素子形成層を形成し、 前記素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜および素子形成層に開口部を形成し、 前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G06K 19/077 ,  G06K 19/07

FI (5件)：

H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627B ,  G06K19/00 K ,  G06K19/00 H

Fターム (93件)：

5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB07 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE32 ,  5F110EE37 ,  5F110EE38 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300371   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 表示装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086457   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所