特許

J-GLOBAL ID：200903073704296676

半導体ウェハ処理用反応炉

発明者： スティーブン・エル・ピース ,  ゲイリー・エル・カーティス ,  レイモン・エフ・トンプソン ,  ブライアン・イーガーター ,  カート・ティ・ダンダス
出願人/特許権者： セミトゥール・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-537096
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514379
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：

【要約】ウェハをスピンし、ウェハが回転している間に流体をウェハの第1面に流すことよりなる半導体WEはない知る維持の母材(55)の処理方法。流体は遠心力の作用でウェハの第1面上を半径方向外側にあらゆる方向へ流れる。ウェハの外周エッジから流れ出す流体は環状リザーバ(2650)に流入するので、ウェハの第2面の環状外周域にも流れる。リザーバに溜まった流体は排出口(2730)から流出する。この排出口がために、ウェハの第2面に流体が流れることのない分離線が形成される。半導体ウェハないし母材を処理する装置も開示している。

請求項（抜粋）：

半導体製品を処理する方法であって、 製品を回転させるステップと、 製品の第1面に処理液を宛うステップと、 回転に伴って発生する遠心力の作用で製品の第1面から半径方向外側に処理流体を流すステップと、 製品の外周において、製品の第2面の外側環状域に処理流体が流れるように当該処理流体を含ませるステップとからなる方法。

Fターム (11件)：

5F043AA02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD23 ,  5F043EE03 ,  5F043EE08 ,  5F043EE09 ,  5F043EE15 ,  5F043EE16 ,  5F043EE33 ,  5F043EE35 ,  5F043EE36

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-006843
  
• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002722   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 処理装置および処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305034   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-107827   出願人：三洋電機株式会社