半導体ウェハの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：衞藤彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002722
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204493
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハの外周部面取り面の形状に左右されることなく面取り面の精密な鏡面加工ができ、しかも従来に比し効率的に鏡面加工できる半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】ベルヌーイ式のチャッキング装置2により半導体ウェハ1の裏面12を保持する。エッチング液30が吸いこまれるようにして、面取り面13の下部まで回り込むようにする。おもて面11がエッチングされて鏡面化すると同時に、面取り面13も鏡面加工される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの外周部を鏡面加工して鏡面面取り面とする半導体ウェハの製造方法において、該外周部をスピンエッチングにより鏡面加工することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622

FI (3件)：

H01L 21/306 B , H01L 21/304 621 E , H01L 21/304 622 Y

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-287625
基板表面の液体による処理方法及び基板の液体処理用装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-346699 出願人：ソニー株式会社
特開平1-240682

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