特許
J-GLOBAL ID：200903073708495126
Al系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-120084
公開番号（公開出願番号）：特開平11-293454
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】【課題】 金属間化合物が微細でかつマクロな偏析が実質的にないのみならず、スパッタリングの際にスプラッシュの原因になる微細な空孔の数が著しく減少したミクロ組織を有するAl系スパッタリング用ターゲット材を提供する。【解決手段】 第一のAl系スパッタリング用ターゲット材は、少なくとも1種の金属間化合物形成元素を含有し、金属間化合物の最大径が実質的に50μm以下である。また第二のAl系スパッタリング用ターゲット材は、金属間化合物形成元素及びAlからなる合金相と、Alマトリックス相とからなるミクロ組織を有し、合金相中の金属間化合物の最大径は実質的に50μm以下である。これらのターゲット材は急冷凝固法粉末を400 〜600 °Cの温度で加圧焼結することにより製造される。
請求項（抜粋）：
少なくとも1種の金属間化合物形成元素を含有するAl系スパッタリング用ターゲット材において、最大径が実質的に50μm以下の金属間化合物を含有することを特徴とするAl系スパッタリング用ターゲット材。
IPC (11件)：
C23C 14/34
, C22C 1/04
, C22C 21/00
, C22F 1/04
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, C22F 1/00 628
, C22F 1/00 661
, C22F 1/00 683
, C22F 1/00 687
, C22F 1/00 694
C23C 14/34 A
, C22C 1/04 C
, C22C 21/00 N
, C22F 1/04 A
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 L
, C22F 1/00 628
, C22F 1/00 661 Z
, C22F 1/00 683
, C22F 1/00 687
, C22F 1/00 694 B
