特許

J-GLOBAL ID：200903073738793652

バンプ形成装置、バンプ形成方法、バンプ形成方法を実行するプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及び半導体基板

発明者： 成田 正力 ,  ▲吉▼田 幸一 ,  池谷 雅彦 ,  前 貴晴 ,  金山 真司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202700
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026051
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 電極部分とバンプとの接合状態の安定が図れて接合強度が従来に比べて向上可能な、バンプ形成装置、バンプ形成方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びバンプ形成済半導体基板を提供する。【解決手段】 プリヒート装置160を備え、電極部分15へのバンプ16の形成前に半導体基板201に対して、バンプ形成時における上記電極部分と上記バンプとの接合を促進させる形成前接合促進用温度制御を実行する。よって、バンプ形成前に、上記電極部分の金属粒子が適切な状態に変化させることができ、現象的には、従前に比べて電極部分とバンプとの接合状態の改善を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板(201)上の電極部分(15)にバンプ(16)を形成するときのバンプボンディング用温度(T2)にある上記半導体基板に対して、上記電極部分へ上記バンプを形成するバンプ形成ヘッド(120)を有するバンプ形成装置であって、上記電極部分へのバンプ形成前に上記半導体基板に対して、バンプ形成時における上記電極部分と上記バンプとの接合を促進させる形成前接合促進用温度制御を実行するプリヒート装置(160)を備えたことを特徴とするバンプ形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H05K 3/34 505

FI (2件)：

H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/92 604 J

Fターム (5件)：

5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AC03 ,  5E319BB04 ,  5E319CD25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• バンプ形成方法及びバンプ形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-173086   出願人：松下電器産業株式会社
• バンプ形成方法及びバンプ形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-145047   出願人：東洋通信機株式会社