特許
J-GLOBAL ID:200903073753112041

熱処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中本 菊彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-178482
公開番号(公開出願番号):特開平7-078778
出願日: 1993年06月28日
公開日(公表日): 1995年03月20日
要約:
【要約】【目的】 処理室に接続する配管や処理室を密封する蓋体への生成物の付着を防止し、歩留まりの向上及びメンテナンス面の向上を図る。【構成】 半導体ウエハWを保持するウエハボート5を下方から挿入する開口部を有するプロセスチューブ1に反応ガス導入管9と排気管10、マニホルド11を接続する。これら反応ガス導入管9、排気管10及びマニホルド11と、プロセスチューブ1の開口部1aを気密に保持する蓋体12とに、反応生成物付着防止用のヒータ14a,14bを被着する。これにより、高温度に加熱されるプロセスチューブ1の温度に追随させて反応ガス導入管9、排気管10、マニホルド11及び蓋体12を所定の温度に制御することができ、これらに反応生成物が付着するのを防止することができる。
請求項(抜粋):
被処理体を保持する保持手段を下方から挿入する開口部を有する処理室と、この処理室の開口部側に連通する反応ガスの導入管及び排気管等の配管と、上記処理室を包囲して配設される加熱手段とを具備する熱処理装置において、上記配管と、上記保持手段に設けられて上記処理室の開口部を気密に保持する蓋体とに、反応生成物付着防止用の加熱手段を設けたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-183656   出願人:東京エレクトロン株式会社
  • 特開平1-302816
  • 縦型熱処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-166664   出願人:東京エレクトロン株式会社
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