特許
J-GLOBAL ID：200903073764442230
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063302
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261724
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】トンネル酸化膜と素子分離領域との境界部におけるリーク電流の発生を回避する。【解決手段】素子間の電流リーク防止のために、素子分離用領域5にP型不純物拡散層6を形成したとき、続いて素子分離用領域5の端部7が所定幅開口するようにパターン形成し、この端部7にN型不純物をイオン注入してN型不純物拡散層からなる電界緩和層8を形成した後、熱酸化を行って素子分離領域9を形成する。このとき、素子分離領域9を形成したときに、素子分離領域9とトンネル酸化膜15との境界部分から素子分離領域9の端部下側にわたって電界緩和層8が位置するように電界緩和層8を形成すれば、N型高濃度不純物拡散層11が形成されたとき、これと電界緩和層8との間には十分な厚さの空乏層が形成されることになり、素子分離領域9とトンネル酸化膜15との境界部分、つまり素子と基板との間で電流リークが発生することは回避される。
請求項（抜粋）：
素子分離領域間に形成されたトンネル酸化膜の下に第1の導電型の不純物拡散層が形成され、さらに当該不純物拡散層の下にこれよりも低濃度の第1の導電型の不純物拡散層からなる電界緩和層が形成され、且つ前記素子分離領域の下にチャネルストッパ用の第2の導電型の不純物拡散層が形成された構造を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記トンネル酸化膜と前記素子分離領域との境界部分からその素子分離領域の端部下側にわたる領域にも、前記電界緩和層を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (6件)
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特開平3-283569
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特開昭54-010247
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特開平3-093272
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審査官引用 (7件)
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