特許

J-GLOBAL ID：200903073789647081

半導体装置の作製方法

発明者： 前川 慎志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-351808
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151905
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 非晶質半導体膜に添加する触媒元素の濃度を上げずに、さらに結晶化工程を複雑化させずに良好な結晶質半導体膜を作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 絶縁体上に形成された非晶質半導体膜上に絶対値が3×109dynes/cm2以上の応力を有する絶縁膜を成膜し、開口部を設けてマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜の選択的領域に触媒元素を添加して加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜上に絶対値が3×109dynes/cm2以上の応力を有する絶縁膜を成膜し、開口部を設けてマスク絶縁膜を形成する第2の工程と、前記非晶質半導体膜の選択的領域に触媒元素を添加する第3の工程と、加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成する第4の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z

Fターム (71件)：

2H090HA05 ,  2H090HB03X ,  2H090HC11 ,  2H090HC15 ,  2H090HC17 ,  2H090HD01 ,  2H090LA04 ,  2H092HA28 ,  2H092KA05 ,  2H092MA29 ,  2H092NA27 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052EA02 ,  5F052EA16 ,  5F052FA01 ,  5F052FA06 ,  5F052FA24 ,  5F052JA01 ,  5F052JA02 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電気光学装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-072631   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-294633   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205346   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• VLSIとCVD, 19970731, p.209