特許

J-GLOBAL ID：200903073800367908

半田バンプ電極の製造方法及び半田バンプ電極

発明者： 伊藤 克己
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-220972
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054656
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】BGAパッケージにおいて、高融点ハンダボール又は導電性金属球の周りを低融点ハンダボールで覆うような構造にし、高融点ハンダ球もしくは伝導性金属球の大きさを求める所定の間隔にすることによって基板とパッケージとの間に所定の間隔を保持させ、また実装温度のバラツキに対しても安定して実装可能とする半田バンプ電極の製造方法及び半田バンプ電極の提供。【解決手段】パッケージ基板3全面に塗布されたソルダーレジスト1に半田ボールを形成する端子部2にのみ開口部を作り、液状にした高融点半田4を少量垂らす。この少量の半田は表面張力により、小さな球状となって固まる。この上から、液状にした低融点ハンダ6を適量垂らし上記で形成した高融点半田ボール5を覆うようにして、低融点の半田ボールを7を形成する。

請求項（抜粋）：

BGA型半導体パッケージの半田バンプ電極において、高融点ハンダ球の外周を低融点ハンダで取り囲むようにした構造を有することを特徴とする半田バンプ電極。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• リードレスパッケージおよび電気部品ならびにその製造 方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-305351   出願人：日本電気株式会社
• 半導体素子のバンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-014113   出願人：松下電器産業株式会社