特許
J-GLOBAL ID：200903073833703245
相変化型不揮発性メモリ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-097851
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278864
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 製造時に相変化膜の剥離が起こり難い相変化型不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 絶縁膜と前記絶縁膜上の相変化膜との界面よりも、前記相変化膜の周囲における前記絶縁膜の表面を基板側にする。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
(a)基板上の絶縁膜に埋め込まれた下部電極を形成する工程と、
(b)前記下部電極を覆うようにして前記絶縁膜上に、相変化によって相異なる比抵抗値をとりうる相変化膜を形成する工程と、
(c)前記相変化膜上に導電膜を形成する工程と、
(d)前記導電膜をエッチングして前記下部電極上に上部電極を形成する工程と、
(e)前記(d)工程の後、前記上部電極の周囲における前記相変化膜をエッチングにより除去する工程と、
(f)前記(e)工程の後、前記相変化膜の周囲における前記絶縁膜をエッチングして、前記相変化膜の周囲における前記絶縁膜の表面を前記絶縁膜と前記相変化膜との界面よりも前記基板側にする工程とを有することを特徴とする相変化型不揮発性メモリの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA21
, 5F083GA27
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR06
, 5F083PR09
, 5F083PR40
