特許

J-GLOBAL ID：200903073848987924

III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置

発明者： 皿山 正二 ,  岩田 浩和 ,  山根 久典 ,  島田 昌彦 ,  新木 隆司
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-355720
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160398
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】 III族原料とV族原料を外部より反応容器内に供給する際、III族原料をより安定的に反応容器内に供給する。【解決手段】 反応容器101外にある少なくともIII族金属を含む物質110を収容している容器109の高さを高くすることで、少なくともIII族金属を含む物質110の自重により、反応容器101内に少なくともIII族金属を含む物質110を送り込むことができる。

請求項（抜粋）：

反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、前記混合融液が保持されている混合融液保持容器とは別に、少なくともIII族金属を含む物質を収容している容器が設けられており、反応容器内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質を収容している容器の圧力とが同一であり、少なくともIII族金属を含む物質の自重により、反応容器外部から反応容器内部に少なくともIII族金属を含む物質を送り込むことを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 11/12

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 11/12

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EG01 ,  4G077EJ05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-008695
  
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-277045   出願人：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典
• 特開昭58-026096