特許

J-GLOBAL ID：200903071583922539

結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

発明者： 皿山 正二 ,  島田 昌彦 ,  山根 久典
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  島田 昌彦 ,  山根 久典
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277045
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102316
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶および半導体デバイスを提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。【解決手段】 NaとGaの混合融液中107及び混合融液表面108で、窒素ガス或いは窒素ガスから供給された融液中の窒素成分とGaとが反応することで、継続的なGaN結晶が成長し、結晶サイズの大きなものを得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

反応容器内で、低融点かつ高蒸気圧の金属融液中あるいは金属融液表面において、少なくともIII族金属元素を含む物質と少なくとも窒素元素を含む物質とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成されるIII族窒化物を結晶成長させることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/208 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 21/208 D ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (35件)：

4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC10 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F053AA03 ,  5F053AA32 ,  5F053BB04 ,  5F053DD20 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL03 ,  5F053RR03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA02 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-160400
  
• 特開昭50-149270
  
• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175577   出願人：株式会社リコー
• 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-237925   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ”Morphology and characterization of GaN single crystals grown in a Na flux”