特許
J-GLOBAL ID：200903073882330764

加熱装置及びそれを用いた光半導体素子の実装方法

発明者：
米田 竜司

米田 竜司 について

, 
鶴丸 尚文

鶴丸 尚文 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399114
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204017
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 そこで本発明では、光半導体素子の実装位置とセラミックヒータ体の熱膨張中心を一致させることができ、セラミックヒータ体の熱膨張に起因する光半導体素子の実装位置ずれに関する要因を解消するための、加熱装置及びそれを用いた光半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】 板状のセラミックヒータ体12と、該セラミックヒータ体12上に配設し光半導体素子を実装した光実装基板を固定する加熱用基板10とから成るとともに、加熱用基板10の加熱中心Pに対し略対称に加熱温度分布を有することを特徴とする加熱装置Hとした。
請求項（抜粋）：
板状のセラミックヒータ体と、該セラミックヒータ体上に配設し光半導体素子を実装した光実装基板を固定する加熱用基板とから成るとともに、前記加熱用基板の加熱中心に対し略対称に加熱温度分布を有することを特徴とする加熱装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/02
FI (3件)：
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/02 B
Fターム (13件)：
2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA17 ,  5F073DA35 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073FA23 ,  5F088BA16 ,  5F088CB20 ,  5F088JA03 ,  5F088JA09
引用特許：
審査官引用 (3件)

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