半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-029387
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223267
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】低誘電率を有する層間絶縁膜にビアホール或いはコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に窒素含有絶縁膜からなる下地絶縁膜2を形成する工程と、下地絶縁膜2上に多孔質絶縁膜3を形成する工程と、下地絶縁膜2と多孔質絶縁膜3とを含む層間絶縁膜3aに開口部7aを形成する工程と、層間絶縁膜3aの表面及び開口部7aの内面をアンモニアガス、窒素ガス又は二窒化酸素ガスのうち何れか一のガスのプラズマに接触させて、層間絶縁膜3aの表面及び開口部7aの側壁に窒素含有絶縁膜4aを形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

導電性の基板上に窒素含有絶縁膜からなる下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に多孔質絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜と前記多孔質絶縁膜とを含む層間絶縁膜に開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (26件)：

5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033MM05 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ60 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ90 , 5F033QQ92 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033TT07 , 5F033XX18

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体デバイス内に多孔質誘電体層を集積する方法及び半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199967 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
非常に低い誘電率プラズマ強化CVD膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-010570 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平4-309228

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