特許
J-GLOBAL ID：200903073907745255

半導体装置とその製法

発明者：
黒沼 孝之

黒沼 孝之 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205142
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップの表面の保護性能を向上させ、更にはボンディング孔形成工程での歩留りを向上させる。【解決手段】 半導体基板10の表面に絶縁膜12,16等を介して配線層18,20a〜20c,22A及び端子電極層22を形成した後、基板上面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を回転塗布して熱処理することによりセラミック状の酸化シリコン膜32を形成する。膜32を覆って窒化シリコン等の表面保護膜34を形成した後、電極層22に対応するボンディング孔34aを膜32及び34の積層に形成する。膜32の微小突起を膜34に反映させないために、膜32及び34の間に絶縁膜を設けたり、樹脂膜をプレセラミック状にした後セラミック状にする前に膜34を形成したりしてもよい。
請求項（抜粋）：
回路素子を内蔵し、表面が絶縁膜で覆われた半導体チップであって、前記絶縁膜の上には前記回路素子につながる配線層が形成されたものと、前記絶縁膜の上に前記配線層を覆って形成され、水素シルセスキオキサン樹脂膜をセラミック状にした酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜を覆って形成された表面保護膜とを備えた半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P
引用特許：
審査官引用 (2件)

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