特許
J-GLOBAL ID：200903073908246961
フリップチップ型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023751
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299414
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 基板1面に複数個のバンプ2を介して半導体チップ3が搭載され、基板1と半導体チップ3との隙間にアンダーフィル材4を充填し、その側部をフィレット材5で封止したフリップチップ型半導体装置において、アンダーフィル材4をガラス転移温度以下の膨張係数が20〜40ppm/°Cの、フィレット材5を、同膨張係数が20ppm/°C以下のエポキシ樹脂組成物とする。【効果】 アンダーフィル部には隙間侵入性に優れた液状エポキシ樹脂組成物を用い、フィレット部にはアンダーフィル部よりも膨張係数の低い封止材で封止することにより、非常に信頼性の高いものとなる。
請求項（抜粋）：
基板の配線パターン面に複数個のバンプを介して半導体チップが搭載され、上記基板と半導体チップとの間の隙間にアンダーフィル材が充填されていると共に、その側部がフィレット材にて封止されたフリップチップ型半導体装置において、上記アンダーフィル材が、液状エポキシ樹脂及び無機質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物からなり、かつこの硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が20〜40ppm/°Cであると共に、上記フィレット材が、液状エポキシ樹脂及び無機質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物からなり、かつこの硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が20ppm/°C以下であることを特徴とするフリップチップ型半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/40
, C08G 59/62
, H01L 21/56
, H01L 21/60 311
H01L 23/30 R
, C08G 59/40
, C08G 59/62
, H01L 21/56 E
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/30 B
, H01L 23/30 D
