半導体チップ搭載用基板、これを用いた半導体パッケージ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 赤堀龍吾 , 沖田英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-279058
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142376
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】鉛の含有濃度が0.01質量%以下である無電解ニッケルめっき皮膜を備える半導体チップ搭載用基板において、接続信頼性の改善を図ることを目的とする。【解決手段】基板の第一の主面上に設けられ半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子110と、基板の前記第一の主面とは反対側の第二の主面上に設けられ配線板に接続するための外部接続端子111とを備える半導体チップ搭載用基板1aであって、半導体チップ接続端子110の半導体チップとの接触面側の最外層及び外部接続端子111の配線板との接触面側の最外層の一方又は双方は、鉛の含有濃度が0.01質量%以下である無電解ニッケルめっき皮膜3と、置換パラジウムめっき皮膜又は無電解パラジウムめっき皮膜4と、置換金めっき皮膜5と、無電解金めっき皮膜6とが内側からこの順で積層されためっき層108からなることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の第一の主面上に設けられ半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子と、前記基板の前記第一の主面とは反対側の第二の主面上に設けられ配線板に接続するための外部接続端子とを備える半導体チップ搭載用基板であって、前記半導体チップ接続端子の前記半導体チップとの接触面側の最外層及び前記外部接続端子の前記配線板との接触面側の最外層の一方又は双方は、鉛の含有濃度が0.01質量%以下である無電解ニッケルめっき皮膜と、置換パラジウムめっき皮膜又は無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、無電解金めっき皮膜とが内側からこの順で積層されためっき層からなることを特徴とする、半導体チップ搭載用基板。

IPC (1件)：

H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/12 W , H01L23/12 501B

引用特許：

出願人引用 (1件)

無電解ニッケルめっき液
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-319947 出願人：奥野製薬工業株式会社

審査官引用 (5件)

半導体搭載用基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-302351 出願人：日立化成工業株式会社
無電解ニッケルめっき液
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-374640 出願人：日鉱メタルプレーティング株式会社
配線基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-157695 出願人：京セラ株式会社

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