特許
J-GLOBAL ID：200903073982332640

プラズマCVD装置

発明者：
寺山 暢之

寺山 暢之 について

, 
清水 信行

清水 信行 について


出願人/特許権者：
神港精機株式会社

神港精機株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 正俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-010868
公開番号（公開出願番号）：特開2007-191754
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】 不安定な陽極グローの発生によって、真空槽内の構成要素が損傷したり、被膜の品質が不安定になったりするのを、防止する。【解決手段】 この発明に係るプラズマCVD装置10によれば、真空槽10内に適宜のガスが導入された状態で、被処理物であるパイプ20,20,...に接地電位を基準とする非対称パルス電力Wpが供給されると、真空槽10内にプラズマが発生する。このとき、接地電位に接続された真空槽10が陽極として作用するため、当該真空槽10内に陽極グローが発生する。ただし、真空槽10内には、当該真空槽10よりも高電位とされた高融点金属製の補助アノード40が設けられているので、陽極グローはこの補助アノード40に集中する。つまり、陽極グローの発生位置が、補助アノード40に固定される。これによって、陽極グローが安定化され、当該陽極グローによる影響が排除される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
内部に被処理物が収容される真空槽を有し、該真空槽を陽極とし該被処理物を陰極とする第1電力の供給によって該真空槽の内部にプラズマを発生させながら該被処理物の表面に被膜を形成するプラズマCVD装置において、 上記真空槽の内部に設けられ該真空槽の電位よりも高電位の第2電力が供給される第3電極を具備することを特徴とする、プラズマCVD装置。
IPC (1件)：
C23C 16/515
FI (1件)：
C23C16/515
Fターム (15件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BA37 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030CA15 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030KA30 ,  4K030LA23
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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