特許
J-GLOBAL ID：200903074601105879
プラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳瀬 睦肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-303392
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105651
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板の両面を絶縁又はシールドしなくても安定した放電を得ることができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るプラズマCVD装置は、チャンバー1内に配置され、被処理基板2の両面それぞれに対向する位置に形成された第1及び第2のアノード17,18と、第1及び第2のアノードに接続された第1及び第2の直流電源4,5と、第1及び第2のアノードの近傍に配置された第1及び第2のフィラメント15,16と、第1及び第2のフィラメントに接続された第1及び第2の交流電源21,22と、第1の直流電源と第1の交流電源に対して共通に接続された第1のダイオード23と、第2の直流電源と第2の交流電源に対して共通に接続された第2のダイオード24と、第1及び第2のダイオードに接続された接地電位12,13と、を具備する。
請求項（抜粋）：
被処理基板の両面にDLC膜を成膜するプラズマCVD装置であって、被処理基板に成膜処理を施すためのチャンバーと、このチャンバー内に原料ガスを導入するガス導入部と、チャンバー内に配置され、被処理基板の一方の主面に対向する位置に形成された第1のアノードと、第1のアノードに接続された第1の直流電源と、第1のアノードの近傍に配置された第1のフィラメントと、第1のフィラメントに接続された第1の交流電源と、第1の直流電源と第1の交流電源に対して共通に接続された第1のダイオードと、第1のダイオードに接続された接地電位と、チャンバー内に配置され、被処理基板の他方の主面に対向する位置に形成された第2のアノードと、第2のアノードに接続された第2の直流電源と、第2のアノードの近傍に配置された第2のフィラメントと、第2のフィラメントに接続された第2の交流電源と、第2の直流電源と第2の交流電源に対して共通に接続された第2のダイオードと、第2のダイオードに接続された接地電位と、被処理基板に接続された第3の直流電源と、を具備し、第1のダイオードは、接地電位から第1の直流電源及び第1の交流電源の側に向けて順方向となるように接続されており、第2のダイオードは、接地電位から第2の直流電源及び第2の交流電源の側に向けて順方向となるように接続されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/503
, C23C 16/27
, G11B 7/26 531
, H01L 21/205
C23C 16/503
, C23C 16/27
, G11B 7/26 531
, H01L 21/205
4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030CA02
, 4K030FA03
, 4K030KA30
, 4K030LA20
, 5D121AA04
, 5D121EE05
, 5D121EE29
, 5F045AA08
, 5F045AA14
, 5F045AB07
, 5F045DP09
, 5F045EH12
, 5F045EH19
