特許
J-GLOBAL ID:200903074000942528

高周波用フェライト薄膜およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-355065
公開番号(公開出願番号):特開2002-160924
出願日: 2000年11月21日
公開日(公表日): 2002年06月04日
要約:
【要約】【課題】 高周波デバイス用Y型六方晶系フェライト薄膜の作製手段の開発。【構成】 Fe+3イオンを主成分とし、Fe2+,Co2+,Ni2+,Zn2+Cu2+,Mn2+からなる群より選ばれる少なくとも一種の遷移金属イオンおよびBa2+イオン、あるいはさらにSr2+,Ca2+、またはPb2+からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属イオンを副成分として形成した金属・有機複合体からなる粘性溶液を用いて、コーティング法により貴金属表面にY型フェライト組成の膜を形成し、これを750°C以上で焼成することによって、結晶のc軸が膜面に垂直に配向したY型六方晶系フェライト薄膜を作製する。
請求項(抜粋):
結晶のc軸が膜面に垂直に配向したY型六方晶系フェライト薄膜。
IPC (2件):
C01G 49/00 ,  H01F 10/20
FI (4件):
C01G 49/00 C ,  C01G 49/00 B ,  C01G 49/00 E ,  H01F 10/20
Fターム (10件):
4G002AA07 ,  4G002AA08 ,  4G002AA10 ,  4G002AB02 ,  4G002AD04 ,  4G002AE05 ,  5E049AB03 ,  5E049AB09 ,  5E049BA11 ,  5E049EB06
引用特許:
審査官引用 (3件)

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