特許

J-GLOBAL ID：200903074012404165

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 宮坂 光敏 ,  入口 千春
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-020819
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223359
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】 多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜に注入する。その後溶融結晶化を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された結晶性半導体膜を半導体装置のチャンネル形成領域として活用している薄膜半導体装置の製造方法に於いて、基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、該半導体膜に希ガス元素イオンを打ち込むイオン注入工程と、該イオン注入工程後に該半導体膜を溶融結晶化させる結晶性半導体膜形成工程とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (35件)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052JA04 ,  5F052JA10 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-082319   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-022540
  
• 低温ポリシリコンTFTの製造プロセスにおけるポリシリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001949   出願人：松下電器産業株式会社
• 結晶成長方法およびMOS型トランジスタのチャネル形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-147042   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-265142
  
• 特開平3-280434