特許
J-GLOBAL ID：200903074073142651
サーモモジュールの製造方法及びサーモモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025539
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229607
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 効率的かつ安価な方法によってサーモモジュールを製造できるようにする。【解決手段】 P型半導体素子とN型半導体素子とを交互に直列に接続し、P型半導体素子及びN型半導体素子をセラミックス基板によって挟持して構成するサーモモジュールの製造方法であって、セラミックス基板100に金属微粒子を堆積させて電極103を形成し、電極103上にP型半導体及びN型半導体の微粒子を堆積させてP型半導体素子及びN型半導体素子を形成する。従来のようにインゴットのスライス、ウェーハのメッキ、ウェーハのダイシング、電極と半導体素子との半田付け等が不要となるため、効率的かつ安価である。
請求項（抜粋）：
P型半導体素子とN型半導体素子とを交互に直列に接続し、該P型半導体素子及び該N型半導体素子をセラミックス基板によって挟持して構成するサーモモジュールの製造方法であって、セラミックス基板に金属微粒子を堆積させて電極を形成する電極形成工程と、該電極上にP型半導体及びN型半導体の微粒子を堆積させてP型半導体素子及びN型半導体素子を形成する半導体素子形成工程とから構成されるサーモモジュールの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/34
, H01L 35/32 A
