空乏ゲート型光センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324799
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233807
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】フルカラーイメージ用のアクティブ画素イメージセンサにおいて、短い波長の光たとえば青色光を受け取ることができる光ゲートを提供する。【解決手段】本発明の空乏ゲート型光センサすなわち光ゲートは、シリコン基層の上に置かれたポリシリコン層を有する。ポリシリコン層は基層の各露光区域の一部分のみを覆っている。ポリシリコン層は露光区域のまわりにリングの形をしていることが好ましい。露光区域の一部をポリシリコン層で覆わないことにより、ポリシリコン層の青色光減衰効果は低減される。

請求項（抜粋）：

空乏ゲート型光センサにおいて、光にさらすことができる露光区域を含む主表面を形成している、結晶質シリコンから成る基層と、前記基層の主表面に隣接して配置され、該主表面中にギャップを形成し、前記露光区域内に前記ギャップの直ぐ隣に酸化物を有するフィールド酸化物層と、前記主表面に配置され、前記ギャップを実質上覆い、前記露光区域の一部分の上と前記ギャップの直ぐ外側のフィールド酸化物層の一部分の上に広がっているポリシリコン層とを有し、前記基層と前記ポリシリコン層とが、それらの界面において、所定のしきい値電圧をもつゲートを形成していることを特徴とする空乏ゲート型光センサ。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , G01J 1/02 , G01J 1/44 , H01L 27/146

FI (4件)：

H01L 31/10 A , G01J 1/02 B , G01J 1/44 P , H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-200711 出願人：キヤノン株式会社
単一多結晶シリコンCMOS能動画素
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-326269 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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