特許

J-GLOBAL ID：200903074092180092

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子

発明者： 奥野 志保 ,  羽根田 茂 ,  岸 達也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295146
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101101
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 大きな磁気抵抗変化を有し、素子化可能でかつ制御性が良好、さらに作製容易な磁気抵抗効果素子を提供するとともに、これを用いた高感度の磁気検出素子素子を提供することにある。またさらに、この磁気抵抗効果素子を用いた記録再生素子を提供することも目的とする。【解決手段】 基板(S)の主面上に設けられた磁性体エレメント(1)を備え、前記磁性体エレメントは、前記基板の主面に対して略平行な方向に流れる電流を狭窄するくびれ部(C)と、前記くびれ部を介して接続された第1及び第2の導電領域(1A、1B)と、を有し、前記くびれ部を介して流れる電流に対して略平行な方向に磁場を印加した時に電気抵抗が減少することを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。

請求項（抜粋）：

基板の主面上に設けられた磁性体エレメントを備え、前記磁性体エレメントは、前記基板の主面に対して略平行な方向に流れる電流を狭窄するくびれ部と、前記くびれ部を介して接続された第1及び第2の導電領域と、を有し、前記くびれ部を介して流れる電流に対して略平行な方向に磁場を印加した時に電気抵抗が減少することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (10件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 磁気抵抗式磁界センサ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-501382   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 特開平2-095287
  
• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-069949   出願人：松下電器産業株式会社