特許
J-GLOBAL ID:200903074139851144
窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-109309
公開番号(公開出願番号):特開2002-374043
出願日: 2002年04月11日
公開日(公表日): 2002年12月26日
要約:
【要約】【課題】 長寿命で温度特性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供すること。【解決手段】 Inを含みn型不純物をドープしたn型窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層107の上に、低濃度のn型不純物及びp型不純物とを含む(好ましくはノンドープ成長の)第1のキャップ層108aと、Alを含みp型不純物をドープした第2のキャップ層とを積層することにより、活性層とキャップ層の界面付近におけるドナーとアクセプタの補償を抑制する。
請求項(抜粋):
Inを含みn型不純物をドープしたn型窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層と、Alを含みp型不純物をドープしたp型窒化ガリウム系化合物半導体から成るp型クラッド層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記活性層と前記p型クラッド層との間に、前記活性層よりも低濃度のn型不純物と前記p型クラッド層よりも低濃度のp型不純物とを含む窒化ガリウム系化合物半導体から成る第1のキャップ層と、Alを含みp型不純物をドープしたp型窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2のキャップ層とを積層したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
Fターム (21件):
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073AA89
, 5F073BA05
, 5F073BA07
, 5F073BA09
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB10
, 5F073CB14
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA35
, 5F073EA23
, 5F073EA28
, 5F073EA29
引用特許:
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