特許
J-GLOBAL ID：200903074142243945
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305680
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148321
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 配線層3、9間に形成されたフッ素を含むシリコン酸化膜12とその上のSOG膜14とを含む層間絶縁膜16において、SOG膜14に剥離やクラックが発生する。【解決手段】 フッ素を含むシリコン酸化膜12上に接してフッ素を含まないシリコン酸化膜13を形成しその上に接してSOG膜14を形成して、SOG膜14と下地との密着性を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、配線層と、この配線層上に層間絶縁膜を介して形成された上層配線層とを有する半導体装置において、上記層間絶縁膜が、フッ素を含むシリコン酸化膜と、このフッ素を含むシリコン酸化膜上に接して形成されたフッ素を含まないシリコン酸化膜と、このフッ素を含まないシリコン酸化膜上に接して形成されたスピンオングラス膜とを有する積層構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/316 G
, H01L 21/316 P
, H01L 21/88 K
, H01L 21/90 M
, H01L 21/90 C
