特許
J-GLOBAL ID：200903074168386868
ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123243
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315834
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】一方の端面を反射器とする発光素子と、端部近傍に回折格子を備えた光ファイバとを備え、反射器と回折格子がレーザ共振器を形成するように構成された半導体光増幅器を備えるファイバグレーティング半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】光ファイバにフェルールを装着する工程と、フェルールを装着された光ファイバを発光素子と共に実装する工程とを含み、更に、光ファイバの実装に先立って、光ファイバにフェルールが装着された状態で、少なくとも回折格子が形成された部分に対して加熱及び冷却を交互に繰り返す熱履歴工程を含むファイバグレーティング半導体レーザの製造方法。
請求項（抜粋）：
一方の端面を反射器とする発光素子と、端部近傍に回折格子を備えた光ファイバとを備え、該反射器と該回折格子がレーザ共振器を形成するように構成された半導体光増幅器を備えるファイバグレーティング半導体レーザを製造する方法であって;該光ファイバにフェルールを装着する工程と、該フェルールを装着された光ファイバを該発光素子と共に実装する工程とを含み、更に、該光ファイバの実装に先立って、該光ファイバにフェルールが装着された状態で、少なくとも該回折格子が形成された部分に対して加熱及び冷却を交互に繰り返す熱履歴工程を含むことを特徴とするファイバグレーティング半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 612
, G02B 6/42
2H037AA01
, 2H037BA02
, 2H037CA05
, 2H037CA08
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 5F073AA63
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073DA16
