特許
J-GLOBAL ID:200903074170454315
多層配線装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 守 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-011599
公開番号(公開出願番号):特開平8-204006
出願日: 1995年01月27日
公開日(公表日): 1996年08月09日
要約:
【要約】【目的】 絶縁層上下の配線を結ぶ接続柱を形成するためのスルーホールエッチング時にスルーホールの径と下層の配線幅の端とに多少の位置ずれが生じても接続柱が形成される配線とその下層に形成されている配線間との間の耐圧低下を生じない多層配線装置を得る。【構成】 スルーホールのエッチングを停止したい絶縁層の深さ位置にエッチングレートの小さい絶縁層のエッチングストッパを設けた。
請求項(抜粋):
第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上に形成された第1の配線と、上記第1の配線を覆って上記第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層と、上記第2の絶縁層上に形成された第2の配線と、上記第2の絶縁層に上記第2の配線から上記第1の配線までエッチングにより形成されたスルーホールと、上記スルーホールに金属層を充填して形成された接続柱とを備え、上記スルーホールのエッチングに対する第2の絶縁層のものより小さなエッチングレートを有する第1の絶縁層を備えたことを特徴とする多層配線装置。
IPC (2件):
引用特許:
審査官引用 (19件)
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特開平4-015923
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特開平3-001093
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特開平2-259391
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-076834
出願人:三菱電機株式会社
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特公平2-040426
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特開昭63-136647
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-109155
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭63-221646
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特公平4-016707
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特開昭63-099496
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-166179
出願人:三菱電機株式会社
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特開平4-259241
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半導体装置の積層配線
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-101893
出願人:株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-271488
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-327574
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-015923
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特開昭63-136647
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特開昭63-221646
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特開平4-259241
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