特許

J-GLOBAL ID：200903074223124096

被研磨材の表面平坦化方法

発明者： 下野 一宏
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069612
公開番号（公開出願番号）：特開平7-276225
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】 ウェハなどの加工面の鏡面研磨の平坦度を向上し、ハーフミクロン以下の線幅の加工を容易に行うことができる表面平坦化方法を提供する。【構成】 (a)被研磨材Wの加工面とポリシングクロス2とを押しあて、(b)前記被研磨材Wと前記ポリシングクロス2とを相対的に回転させ、かつ、前記ポリシングクロスを自転させるとともに前記相対的回転の半径方向成分を有する方向に平面移動させながら前記被研磨材と前記ポリシングクロスとを摺動し、(c)前記摺動する面に研磨剤を添加した加工液Cを供給することにより加工する。

請求項（抜粋）：

(a)被研磨材の加工面とポリシングクロスとを押しあて、(b)前記被研磨材と前記ポリシングクロスとを相対的に回転させ、かつ、前記ポリシングクロスを自転させるとともに前記相対的回転の半径方向成分を有する方向に平面移動させながら前記被研磨材と前記ポリシングクロスとを摺動し、(c)前記摺動する面に研磨剤を添加した加工液を供給することにより加工する被研磨材の表面平坦化方法。

IPC (4件)：

B24B 37/04 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037627   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体ウェハの研磨方法および研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-214323   出願人：富士通株式会社