特許

J-GLOBAL ID：200903074262330213

化合物粒子の製造方法

発明者： 近藤 光 ,  横山 豊和 ,  内藤 牧男 ,  阿部 浩也 ,  野城 清 ,  松田 元秀 ,  三宅 通博
出願人/特許権者： 野城 清
代理人 (2件)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-291243
公開番号（公開出願番号）：特開2004-124189
出願日： 2002年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】本発明は、金属粒子とアモルファス粒子若しくは非金属粒子とを粉砕して複合材料を生成し、複合粒子の特性の改良を実現する粒子複合化方法を提供することを目的とする。【解決手段】金属粒子とアモルファス粒子若しくは非金属粒子のいずれか一方とを含む少なくとも2種類の粒子を複合化し、複合材料を生成する粒子複合化方法であって、前記粒子の混合粉体に加圧力とせん断力とを付与して粉砕混合し、局所的且つ断続的に前記粒子の表面層を溶融して、複合材料を生成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属粒子とアモルファス粒子若しくは非金属粒子のいずれか一方とを含む少なくとも2種類の粒子を複合化し、複合材料を生成する粒子複合化方法であって、 前記粒子の混合粉体に加圧力とせん断力とを付与して粉砕混合し、局所的且つ断続的に前記粒子の表面層を溶融して、前記複合材料を生成することを特徴とする粒子複合化方法。

IPC (2件)：

B22F1/00 ,  B02C19/00

FI (2件)：

B22F1/00 E ,  B02C19/00 Z

Fターム (8件)：

4D067CF05 ,  4D067CF15 ,  4D067GA01 ,  4K018BC15 ,  4K018BC16 ,  5G321AA11 ,  5G321AA98 ,  5G321DA12

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-147901
  
• 特開昭61-272331
  
• マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-001948   出願人：科学技術振興事業団, 秋光純
• 超伝導材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-069950   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-059039
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Improved superconducting properties in nanocrystalline bulk MgB2