特許

J-GLOBAL ID：200903074270941736

半導体装置の形成方法

発明者： 中村 隆一 ,  松原 亮平
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096593
公開番号（公開出願番号）：特開2005-354035
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】安価な材料を使用して高価なプロセスの利用を避け、高性能な半導体装置を安価に大量に提供する。【解決手段】少なくとも可撓性絶縁基板1上にゲート電極2を形成する工程と、該ゲート電極2上にゲート絶縁膜4を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にソース・ドレイン電極5を形成する工程と、該ソース・ドレイン電極5及びゲート絶縁膜4の一部を研磨除去してソース・ドレイン電極間にチャネルを形成する工程と、該チャネル間に半導体層6を形成する工程を含む形成方法にて半導体装置を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくとも、可撓性絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にソース・ドレイン電極を形成する工程と、該ソース・ドレイン電極及びゲート絶縁膜の一部を研磨除去してソース・ドレイン電極間にチャネルを形成する工程と、該チャネル間に半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の形成方法。

IPC (5件)：

H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (7件)：

H01L29/78 616K ,  H01L21/283 B ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (35件)：

4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP1996003815   出願人：株式会社日立製作所
• オフセット印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-028545   出願人：株式会社ジーティシー
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-316198   出願人：シャープ株式会社