特許

J-GLOBAL ID：200903074271615824

紫外線発光素子

発明者： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  常川 高志
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-132083
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019964
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】 発光層の材料をInGaNとした紫外線発光素子の構造を最適化することによって、より高出力で長寿命の紫外線発光素子を提供すること。【解決手段】 結晶基板Sの表面に凹凸1Sを加工し、該凹凸に、GaN系半導体低温バッファ層1を介してまたは直接的に、GaN系結晶層2を気相成長させる。該GaN系結晶層は、前記凹凸の凹部内を実質的に充填しかつ該凹凸を埋め込んで平坦化するまで成長させ、その上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層を発光層として成長させて、紫外線発光素子とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面に凹凸が加工された結晶基板上に、GaN系半導体からなる低温バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層が気相成長しており、該GaN系結晶の上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層が成長し発光層となっている半導体発光素子構造を有することを特徴とする紫外線発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292684   出願人：株式会社東芝
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-267827   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体装置および半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-143218   出願人：ソニー株式会社