特許
J-GLOBAL ID：200903074273647693

基板表面とチャンバ表面のためのエッチング剤処理プロセス

発明者：
サモイロフ, アルカディ ブイ.

サモイロフ, アルカディ ブイ. について

, 
ゾジャジ, アリ

ゾジャジ, アリ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-553243
公開番号（公開出願番号）：特表2008-529306
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
一実施形態において、減速エッチングプロセス(例えば、約<100オングストローム/分)によって汚染物質を除去し及び/又は基板表面を平滑にするステップを含むシリコン含有表面を処理する方法が提供される。基板は、エッチング剤とシリコン源を含有するエッチングガスにさらされる。好ましくは、エッチングガスは塩素ガスであり、基板は約800°C未満の温度に加熱される。他の態様において、基板表面上にソース/ドレイン(S/D)領域内に凹部を形成しつつ、シリコン物質を除去するステップを含む高速エッチングプロセス(例えば、>約100オングストローム/分)が提供される。他の実施形態において、エッチング剤とシリコン源を含有するチャンバ洗浄ガスで内面をさらすステップを含むプロセスチャンバを洗浄する方法が提供される。チャンバ洗浄プロセスは、プロセスチャンバ内で石英と金属表面のエッチングを制限する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板表面上のシリコン含有物質をエッチングする方法であって、 汚染物質を含有する該シリコン含有物質を含む基板をプロセスチャンバ内へ置くステップと、 該シリコン含有物質を、塩素ガスとシリコン源とキャリアガスとを含むエッチングガスに800°C未満の温度でさらすステップと、 該汚染物質と所定の厚さの該シリコン含有物質を除去するステップと、 を含む前記方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24
Fターム (26件)：
4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB06 ,  5F045BB14 ,  5F045CA05 ,  5F045DB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045HA03 ,  5F045HA22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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