特許
J-GLOBAL ID：200903074284554360
半導体装置およびその製造方法および加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066417
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ITOと電食反応を起こすことなく、ポジ型レジストを用いてAlを主材とする金属配線を形成することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタ液晶表示用アレイにおいて、信号配線と表示用画素透明電極が同一レイヤ-に形成され、前記信号配線材料として標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むアルミニウムであることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
基板の同一平面上に酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成されている半導体装置において、前記金属層がアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/28 301
, H01L 29/40
