特許

J-GLOBAL ID：200903074294564879

N型半導体膜の形成方法

発明者： 芳之内 淳
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 島村 芳明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269803
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111634
出願日： 1997年10月02日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】N型半導体膜の熱処理温度を低下させて絶縁性基板の歪を防止する。【解決手段】絶縁性基板上に膜厚が50〜150nmの多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に膜厚が50〜150nmの絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を通して、前記多結晶シリコン膜に第V族元素イオンを含むイオンを注入する工程と、300〜500°Cの温度で熱処理する工程とからなるものである。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に膜厚が50〜150nmの多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に膜厚が50〜150nmの絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を通して、前記多結晶シリコン膜に第V族元素イオンを含むイオンを注入する工程と、300〜500°Cの温度で熱処理する工程とからなることを特徴とするN型半導体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 618 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ドーピング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128924   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-118989   出願人：富士通株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-217070   出願人：セイコーエプソン株式会社