ドーピング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128924
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306639
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】半導体材料中のドーパントの均質性、格子欠陥の熱アニールによる修復率を改善するドーピング法を提供する。【構成】半導体材料に対して、該材料にN型もしくはP型の導電性を付与するドーピング処理で、イオン電流を3.5μA以上とする。また、半導体材料が設置されているステージの熱伝導率を2.0×10-2W/cm・deg 以下とする。

請求項（抜粋）：

半導体材料に対して、該材料にN型もしくはP型の導電性を付与するドーピング処理で、イオン電流を3.5μA以上とすることを特徴とするドーピング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 21/22 , H01L 21/324

FI (5件)：

H01L 21/265 A , H01L 21/22 E , H01L 21/324 M , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-002350 出願人：日本電装株式会社
特開昭62-277719
特開平4-162432

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