特許
J-GLOBAL ID：200903074317853806

半導体装置およびその製造方法

発明者：
南部 英高

南部 英高 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093102
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289594
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】高い信頼性を有し微細化を簡便にするハードマスクを提供する。【解決手段】層間絶縁膜3上に有機物含有のシリコン酸化膜でハードマスク4aを形成し、これをエッチングマスクにして上記層間絶縁膜3をドライエッチングして、ヴィアホール7を形成する。このエッチング工程において、Cu配線1は保護絶縁膜2でエッチング保護される。そして、ヴィアホール7の側壁に形成された付着物8を、フッ化アンモニウムを含む有機剥離薬液(アミド類、アルコール類の有機溶媒を組成物とする薬液)で完全に除去する。ここで、有機物含有のシリコン酸化膜で構成されたハードマスク4aの、フッ化アンモニウムを含む有機剥離薬液中でのエッチング耐性は高い。このために、微細なヴィアホール7が高精度に形成できる。
請求項（抜粋）：
有機物含有のシリコン酸化膜でマスクが形成され、前記マスクをエッチングマスクにしたドライエッチングで被エッチング材料が加工されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/90 J
Fターム (63件)：
5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB24 ,  5F004EA10 ,  5F004EB01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033TT04 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX21 ,  5F033XX24 ,  5F043BB27 ,  5F043DD15 ,  5F043DD21 ,  5F043FF06 ,  5F043GG03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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