積層絶縁膜とその製造方法および半導体装置とその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211501
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044191
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】有機絶縁膜上に、その有機絶縁膜が損傷することなく、無機的性質を有する低誘電率(比誘電率=3.0以下)な炭素を含むシリコン酸化膜を形成する技術を提供する。【解決手段】有機絶縁膜11と、この有機絶縁膜11上に形成した炭素を含むシリコン酸化膜12とからなる積層絶縁膜13であり、炭素を含むシリコン酸化膜12はその膜中の8at%以上25at%以下の炭素を含んでいるものである。

請求項（抜粋）：

有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成した炭素を含むシリコン酸化膜とからなることを特徴とする積層絶縁膜。

IPC (9件)：

H01L 21/316 , C08J 7/04 CEW , C08J 7/04 CEZ , C08K 3/04 , C08L 83/04 , H01L 21/3065 , H01L 21/312 , H01L 21/768 , C08J 7/00 307

FI (11件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 M , C08J 7/04 CEW M , C08J 7/04 CEZ M , C08K 3/04 , C08L 83/04 , H01L 21/312 A , C08J 7/00 307 , H01L 21/302 F , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q

Fターム (69件)：

4F006AA18 , 4F006AA31 , 4F006AA39 , 4F006AA42 , 4F006AB39 , 4F006AB54 , 4F006BA16 , 4F006CA08 , 4F006DA04 , 4F006EA01 , 4F006EA05 , 4F073AA06 , 4F073BA33 , 4F073BA49 , 4F073BA52 , 4F073BB01 , 4F073CA49 , 4F073DA01 , 4F073DA05 , 4J002CP031 , 4J002DA016 , 4J002FD206 , 4J002GQ05 , 5F004AA02 , 5F004BA04 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004EA06 , 5F004EB03 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033MM01 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR12 , 5F033RR20 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW04 , 5F033XX24 , 5F033XX25 , 5F058AA10 , 5F058AD01 , 5F058AD07 , 5F058AD09 , 5F058AE05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (9件)

シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-019689 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-099387 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の保護膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-238518 出願人：日本電気株式会社

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