特許
J-GLOBAL ID：200903074324325840

ドリフト領域とドリフト制御領域とを有する半導体素子

発明者：
フィルシュ,フランク

フィルシュ,フランク について

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マウダー,アントン

マウダー,アントン について

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シュルツ,ハンス-ヨアヒム

シュルツ,ハンス-ヨアヒム について

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ゼードルマイアー,シュテファン

ゼードルマイアー,シュテファン について

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ヴィルメロス,アルミン

ヴィルメロス,アルミン について

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ツンデル,マルクス

ツンデル,マルクス について

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ヒルラー,フランツ

ヒルラー,フランツ について

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ミッタル,アルンヤイ

ミッタル,アルンヤイ について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-523245
公開番号（公開出願番号）：特表2009-503830
出願日： 2006年07月27日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
本発明は、半導体基材(100)を有する半導体素子に関し、さらに以下の各特徴として、上記半導体基材(100)内にて、第1の伝導型のドリフト領域(2;211)と、上記半導体基材(100)内にて、上記ドリフト領域(2)に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、半導体材料からなるドリフト制御領域(3;241)と、上記ドリフト領域(2;211)と上記ドリフト制御領域(3;241)との間に配置された蓄積誘電体(4;251)とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基材(100)を有する半導体素子であって、 上記半導体基材(100)内にて、第1の伝導型のドリフト領域(2;211)と、 上記半導体基材(100)内にて、上記ドリフト領域(2)に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、半導体材料からなるドリフト制御領域(3;241)と、 上記ドリフト領域(2;211)と上記ドリフト制御領域(3;241)との間に配置された蓄積誘電体(4;251)とを含むことを特徴とする半導体素子。
IPC (11件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80
FI (18件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 301V ,  H01L29/78 617K ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/48 F ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/80 V
Fターム (75件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD29 ,  4M104DD81 ,  4M104FF02 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC12 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F102GA14 ,  5F102GA17 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL03 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F110AA07 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F140AA30 ,  5F140AB01 ,  5F140AC19 ,  5F140AC21 ,  5F140AC22 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF43 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH45
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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