半導体素子のポリシリコン層形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中川周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106869
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306642
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体素子のポリシリコン層形成方法に関するものであり、導電層の接触抵抗を減少させ、ポリシリコンのグレーンの大きさを増大させることができる半導体素子のポリシリコン層形成方法を提供することに目的がある。【解決手段】プラズマ処理により露出したシリコン基板上に残留する自然酸化膜及び異物質を除去した後、不活性ガスが供給される蒸着反応炉内に、シリコン基板をローディングして非晶質シリコンを蒸着し、シリコンイオンを注入した後、再結晶化させる。

請求項（抜粋）：

半導体素子のポリシリコン層形成方法において、接合部が形成されたシリコン基板上に絶縁層を形成した後、上記絶縁層をパターニングして上記接合部のシリコン基板が露出するようにコンタクトホールを形成する段階と、上記段階から、露出したシリコン基板上の自然酸化膜と異物質を除去するために湿式洗浄工程を実施し、プラズマ処理を実施した後、上記シリコン基板を不活性ガスが供給される蒸着反応炉内部にローディングする段階と、上記段階から、非晶質シリコンを蒸着した後、上記非晶質シリコン内にシコンイオンを注入する段階と、上記段階から、上記非晶質シリコンを再結晶化させるために熱処理工程を実施する段階から成ることを特徴とする半導体素子のポリシリコン層形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/265 , H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 A , H01L 21/324 Z , H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-022527
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-073738 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-167828 出願人：川崎製鉄株式会社

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