特許
J-GLOBAL ID：200903045478258517

結晶成長方法

発明者：
琵琶 剛志

琵琶 剛志 について

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奥山 浩之

奥山 浩之 について

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土居 正人

土居 正人 について

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大畑 豊治

大畑 豊治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217911
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033288
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体などの窒化物半導体の気相成長技術において、低転位密度の高品質結晶を得ることのできる結晶成長方法を提供する。【解決手段】 基板10上に結晶成長を阻害するマスク層13を、その一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層11が表面に凹凸部を有して臨むように形成し、その凹凸部からの結晶成長によって前記マスク層13上を含む領域に第2窒化物半導体層17を成長させる。横方向に成長の速い貫通転位12は、結晶のない空隙部18で終端され、上部への伝播をより確実に防止できる。
請求項（抜粋）：
基板上に結晶成長を阻害するマスク層を、該マスク層の一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層が該第1窒化物半導体層の表面に凹凸部を有して臨むように形成し、前記凹凸部からの結晶成長によって前記マスク層上を含む領域に第2窒化物半導体層を成長させることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C
Fターム (32件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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