特許
J-GLOBAL ID:200903074377984365

高圧処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 振角 正一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-283003
公開番号(公開出願番号):特開2003-092279
出願日: 2001年09月18日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】 低ランニングコストで、しかも優れた安定性で表面処理を行うことができる高圧処理装置を提供する。【解決手段】 処理チャンバー11内の処理流体を循環させる循環経路5が圧力容器1内に設けられている。この圧力容器1において、処理流体は処理チャンバー11および循環経路5内を循環するので、いわゆる配管システム系循環を採用した従来装置に比べて循環させる処理流体の量が少ないため、より少ない処理流体で基板Wの表面処理(洗浄処理+リンス処理+乾燥処理)を行うことができ、表面処理に関するランニングコストを低減させることができる。また、循環経路5を圧力容器1内に収めたことによって、圧力容器1の外部環境による影響を受けない、あるいは受け難くなり、その結果、処理流体による表面処理を安定化させることができる。
請求項(抜粋):
圧力容器の内部に設けられた処理チャンバーに高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として供給することによって、前記処理チャンバー内の被処理体の表面に前記処理流体を接触させて所定の表面処理を施す高圧処理装置において、前記圧力容器に、前記処理チャンバー内の処理流体を循環させる循環経路を設けたことを特徴とする高圧処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 641 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (5件):
H01L 21/304 648 F ,  H01L 21/304 641 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/30 569 A
Fターム (9件):
2H096AA25 ,  2H096HA01 ,  2H096HA30 ,  5F043AA37 ,  5F043CC14 ,  5F043EE03 ,  5F043EE21 ,  5F046LA03 ,  5F046LA14
引用特許:
審査官引用 (5件)
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