太陽電池の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150148
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340817
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】半導体基板と電極との接触抵抗が高くなったり、密着強度が低下するという問題があった。【解決手段】一導電型半導体基板1の一主面側に逆導電型半導体不純物を含有する層1aを形成するとともに、他の主面側に一導電型半導体不純物を高濃度に含有する層を形成し、この半導体基板1の両主面側に電極4、5を形成する太陽電池の形成方法であって、上記半導体基板1の一主面側に酸化銀を主成分とするペーストを塗布して非酸化性雰囲気中で焼き付けて上記一主面側の電極5を形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板の一主面側に逆導電型半導体不純物を含有する層を形成するとともに、他の主面側に一導電型半導体不純物を高濃度に含有する層を形成し、この半導体基板の両主面側に電極を形成する太陽電池の形成方法において、前記半導体基板の一主面側に酸化銀を主成分とするペーストを塗布して非酸化性雰囲気中で焼き付けて前記一主面側の電極を形成することを特徴とする太陽電池の形成方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 A , H01L 31/04 H

Fターム (6件)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051CB27 , 5F051FA10 , 5F051FA24 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (11件)

銀系導体ペースト
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-280165 出願人：田中貴金属工業株式会社
特開昭61-018154
特開昭61-128576

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