回路基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345442
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116602
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】回路基板サイズを大きくしたり、金属回路の形状を著しく変更することなしに、使用電圧が例えば6〜9kVのような高電圧であっても、絶縁性や部分放電特性に関して十分に高い耐久性を示すセラミックス回路基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合されてなり、金属回路端部よりセラミックス基板表面の全面または一部がコーティング材で覆われていることを特徴とするセラミック回路基板であり、コーティング材の比誘電率が、3.0〜10.0であることを特徴とするセラミックス回路基板である。さらに、該接合層の金属回路からのはみ出し長さ(a部)が20〜100μmであり、回路パターントップにせり出し(b部)がなく、回路パターントップのエッジ部(c部)のRサイズが10〜100μmであることを特徴とするセラミックス回路基板である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミックス基板と金属回路とが接合層を介して接合されてなり、金属回路端部よりセラミックス基板表面の全面または一部がコーティング材で覆われていることを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (4件)：

H01L23/13 , H01L23/12 , H05K1/02 , H05K3/28

FI (5件)：

H01L23/12 C , H05K1/02 J , H05K3/28 B , H01L23/12 D , H01L23/12 K

Fターム (20件)：

5E314AA32 , 5E314AA36 , 5E314AA40 , 5E314AA42 , 5E314BB01 , 5E314BB05 , 5E314BB11 , 5E314CC01 , 5E314DD01 , 5E314FF02 , 5E314FF11 , 5E314FF19 , 5E314GG06 , 5E338AA01 , 5E338AA11 , 5E338AA18 , 5E338CC04 , 5E338CD05 , 5E338CD40 , 5E338EE12

引用特許：

出願人引用 (2件)

回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-347197 出願人：電気化学工業株式会社
パワーモジュール用回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-015142 出願人：電気化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

特開平3-108362
特開平4-077369

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