特許

J-GLOBAL ID：200903074418984022

炭化珪素の製造方法

発明者： 長澤 弘幸 ,  八木 邦明
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365323
公開番号（公開出願番号）：特開平11-181567
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：

【要約】【課題】 反位相領域境界面の低減又は消滅を確実に実現できる炭化珪素の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素の成長用基板上に炭化珪素の成長を阻むマスク層を設け、このマスク層に一箇所以上の開口部を設けて基板表面を露出させて炭化珪素の成長を行う炭化珪素の製造方法であって、前記開口部の高さを、開口部の幅wの√2(=21/2)倍以上で、かつ、形成する炭化珪素の厚さ以上の高さとして、炭化珪素の成長を行う。

請求項（抜粋）：

炭化珪素の成長用基板上に炭化珪素の成長を阻むマスク層を設け、このマスク層に一箇所以上の開口部を設けて基板表面を露出させて炭化珪素の成長を行う炭化珪素の製造方法であって、前記開口部の高さを、開口部の幅wの√2(=21/2)倍以上で、かつ、形成する炭化珪素の厚さを超える高さとして、炭化珪素の成長を行うことを特徴とする炭化珪素の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/04 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/04 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭63-260014
  
• 特開昭63-319294
  
• 炭化珪素膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069610   出願人：ホーヤ株式会社
• 特開平1-286997
  
• 特開平2-267196
  
• 炭化ケイ素膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264755   出願人：ホーヤ株式会社