電界効果型半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150560
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333956
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】超低雑音特性と高出力特性とを兼ね備えた新しいタイプの電界効果型トランジスタを提供する。【構成】 GaAs基板1上に、アンドープのGaAs層2と、アンドープのInGaAs層11と、In組成比が基板側から電極側に向かってグレーディッドに減少するアンドープのInx Ga1-x As層12と、n型のn-GaAs層13と、n型のn-AlGaAs層5とをこの順に積層している。ゲート電位が深い場合には電子が主にInGaAs層11,Inx Ga1-x As層12を走行して超低雑音特性を示し、ゲート電位が浅い場合には電子が主にn-GaAs層13を走行して高出力特性を実現する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1の半導体バッファ層と、アンドープの第2の半導体層と、アンドープの第3の半導体層と、一導電型の第4の半導体層と、一導電型またはアンドープの第5の半導体層とをこの順に備え、前記第2の半導体層は前記第1の半導体バッファ層より電子親和力が大きく、前記第3の半導体層は前記第2の半導体層との界面では前記第2の半導体層より電子親和力が大きくなく、前記第3の半導体層の禁止帯幅は前記第2の半導体層側から前記第4の半導体層側に向かってグレーディッドに増加し、前記第3の半導体層は前記第4の半導体層との界面では前記第4の半導体層より電子親和力が小さくなく、前記第5の半導体層は前記第4の半導体層より電子親和力が大きくないことを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-271638
特開平4-162539
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-113283 出願人：日本電気株式会社

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