埋め込みカーボン・ドーパントを用いた半導体デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏 , 坂口博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-113990
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300103
出願日： 2007年04月24日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】電荷移動度の低下とデバイス性能の低下とをもたらすミスフィット転位の形成を減少させる。【解決手段】半導体構造体、及び、半導体デバイス、より具体的にはN型FETデバイスを製造する方法である。本デバイスは、構造体におけるミスフィット転位の発生及び伝播を減少させる層間の界面の材料を介して応力誘発層の上に設けられる応力受容層を含む。応力受容層はシリコン(Si)であり、応力誘発層はシリコン・ゲルマニウム(SiGe)であり、材料は、デバイスを形成する間に両層をドープすることによって与えられるカーボンである。カーボンは、SiGe層全体にわたってドープすることもできる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体構造体を製造する方法であって、層間の界面を有するように応力誘発層の上に応力受容層を形成するステップと、前記界面におけるミスフィット転位を減少させるために、前記応力受容層と前記応力誘発層との間の前記界面にカーボン・ドーピングを行うステップと、を含む方法。

IPC (8件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08 , H01L 29/786

FI (8件)：

H01L21/20 , H01L29/78 301B , H01L29/80 B , H01L27/08 321C , H01L27/08 331E , H01L27/08 321B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618B

Fターム (65件)：

5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AC01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BC15 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD09 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F102FA08 , 5F102GA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL03 , 5F102GT08 , 5F102HC02 , 5F102HC18 , 5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110HM02 , 5F110HM20 , 5F110NN65 , 5F110QQ04 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB16 , 5F140BC12 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG38 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BK09 , 5F140BK18 , 5F140CB04 , 5F152LL03 , 5F152LN03 , 5F152LN08 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NN15 , 5F152NN29 , 5F152NP02 , 5F152NP04 , 5F152NQ03

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-410659 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体ウェハー、及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-071057 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-377603 出願人：シャープ株式会社

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